Характеристики Samsung M425R2GA3BB0-CWM
Основные характеристики
Тип памяти
DDR5
Форм-фактор памяти
SODIMM
Объем одного модуля
16 ГБ
Количество модулей в комплекте
1 шт
Суммарный объем комплекта
16 ГБ
Эффективная частота
5600 МГц
Пропускная способность
44800 МБ/c
Поддержка ECC
Нет
Количество контактов памяти
262
Тайминги
CAS Latency (CL)
40
Дополнительные характеристики
Напряжение питания
1.1 В
Максимальная выделяемая мощность
6 Вт
Нормальная операционная температура
50 ºС
Расширенная операционная температура (Tcase)
85 ºС
Высота памяти
30 мм
Радиатор
Нет
Подсветка элементов платы
Нет
Зарегистрируйся, оставляй отзывы о товаре, зарабатывай бонусы!
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.